Подобные работы

Компьютерное моделирование в курсе "Электричество и Магнетизм"

echo "Основным методом исследования вычислительной физики является компьютерный эксперимент, теоретической базой которого служит математическое моделирование, а экспериментальной базой - ЭВМ. Компьюте

Структура и свойство материалов (из конспекта лекций)

echo "Отсутствуют 5 и 7). Направление – [ ]; Эквивалентные направления - ; Совокупность плоскостей - { }; Плоскость – ( ). Гранецентрированная кубическая структура (ГЦК) – благородные (медь, серебро,

Исследование электрических колебаний (№27)

echo "Теоретическая часть. Рисунок 1. Уравнение, которому удовлетворяет ток I в колебательном контуре (рис.1) с подключенным к нему генератором синусоидальной ЭДС e = e 0 cos w t имеет вид: ";

Стрела времени

echo "Прежде, чем сделать выбор между реляционной и субстанциональной концепциями времени, рассмотрим примеры реализации каждой из них. Примеры конструкций времени В современном естествознании время

Устойчивость и изменчивость. Законы развития в сложных системах. Деградация

echo "Развитие представляется необратимым, направленным, закономерным изменением материи и сознания, их универсальным свойством; в результате развития возникает новое качественное состояние объекта -

Справочник по физике

echo "Механика делится на три раздела: кинематику, динамику, статику. Кинематика изучает движение тел, не рассматривая причин, которые это движение обусловливают. Динамика изучает законы движения те

Стохастичность и нелинейность систем. Неравновесность систем. Энтропия и негэнтропия

echo "Например, солнечная система, атомы и их ядра. Распадается даже протон, которого до сих пор считали абсолютно прочным (время жизни 1031 1033 лет). Причиной изменений являются потоки необъятных р

Экспериментальные исследования диэлектрических свойств материалов (№30)

echo "Выполнил студент Группы 99 – ЭТУ Наумов Антон Николаевич Проверил: Н. Новгород 2000г. Цель работы : определение диэлектрической проницаемости и поляризационных характеристик различных диэлектрик

Структура и свойство материалов (из конспекта лекций)

Структура и свойство материалов (из конспекта лекций)

Отсутствуют 5 и 7). Направление – [ ]; Эквивалентные направления - ; Совокупность плоскостей - { }; Плоскость – ( ). Гранецентрированная кубическая структура (ГЦК) – благородные (медь, серебро, золото), многовалентные (алюминий, свинец), переходные (никель, продий, палладий, иридий, платина). Каждый атом имеет 12 ближайших соседей на расстоянии а/ 2. Доля пространства заполнения шарами =74%. Коэф. 0,74 – соответствует наиболее плотной упаковки в случае равновеликих шаров.

Плотноупакованная направление в ГЦК – (101), а плотноупакованная плоскость – (111). Гексаганально плотно упакованная структура (ГПУ) – переходные (скандий, титан, цирконий), двухвалентные (магний, цинк, кадмий). Координационное число – 12, (с/а= 8/3). Коэф.

Компактности =74%. Объёмоцентрированная кубическая структура (ОЦК) – щелочные (литий, натрий, калий, рубидий, цезий), переходные (бром, ванадий, железо и цирконий некоторых t интервалов). Каждый атом имеет 8 ближайших соседей на расстоянии (а 2)/2. Плотноупакованная направление – (111), плотноупакованной плоскости нет. Коэф.

Компактности =68%. Это означает что, ячейка занята на 68%. В ОЦК структуре кол-во пустот n=4. Октоэдрические пустоты – в центре куба и посередине рёбер, и окружены 6 атомами.

Размер октоэдрической пустоты r 0 =0,41R. Тетраэдрические пустоты вторые по размеру, r Т =0,225R. В ГЦК располагаются по 2 на каждой диагонали. На элементарную ячейку приходится 8 тетраэдрических пустот. ГПУ – имеет октоэдрические и тетраэдрические пустоты (r Т =0,225R , r 0 =0,154R). ОЦК - r Т =0,291R. В ОЦК больше пустот и большего размера, чем в ГЦК. Закон поглощения или ослабления рентген. лучей в диф. форме: интегральной форме – коэф.

Пропорциональности ослабления либо поглощения лучей. Дефекты : точечные (нульмерные) малы во всех 3 измерениях – вакансии, межузельные атомы; линейные (одномерные) малы в двух измерениях, а в третьем они большего размера (на длину зерна) – дислокации, цепочки вакансий, межузельные атомы; поверхностные (двумерные) малы только в одном измерении – границы блоков и зёрен.

Точечные, линейные и поверхностные явл. микроскопическими дефектами т.е. в одном направлении измеряется атомными диаметрами. Объёмные (трёхмерные) – макроскопичны – поры и трещины.

Вакансия – место с которого атом сместился из узла решетки. Если в кристалле N атомов и n вакансий то равновесная концентрация вакансий Образование точечных : дефектов: по механизму Френкеля – вакансии и межузельный атом могут одновременно образовываться при перемещении атома из его нормального положения в узле решётки (при облучении ядерными частицами); по механизму Шоттки – атом приобретает избыток Е от соседних атомов, выходит на поверхность и занимает узлы нового слоя, через время на место атома поверхностного слоя переходит атом и глубокого слоя, и вакансия перемещается в глубь кристалла.

Линейные дефекты – дислокации.

Краевая дислокация – сдвиг на одно межатомное расстояние одной части кристалла относительно другой вдоль какой либо плоскости. Сдвиг создавший краевую дислокацию - вектор сдвига.

Экстраплоскость – лишний атомный слой. В близи экстраплоскости внутри кристалла решётка сильно искажена. Если экстраплоскость находится в верхней части кристалла, то дислокация наз. положительной ( ), а если наоборот то наз. отрицательной ( ). Вектор Бёркинса (в) –явл. хар-кой дислокации по которой определяют энергию дислокации и меру искажённости кристаллической решётки дислокацией.